WSD100N06GDN56 N-kanaliga 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tooteid

WSD100N06GDN56 N-kanaliga 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

lühike kirjeldus:

Osa number:WSD100N06GDN56

BVDSS:60V

ID:100A

RDSON:3 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakett:DFN5X6-8


Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

WINSOK MOSFET tooteülevaade

WSD100N06GDN56 MOSFETi pinge on 60V, vool 100A, takistus 3mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET kasutusalad

Meditsiinilised toiteallikad MOSFET, PD-d MOSFET, droonid MOSFET, elektroonilised sigaretid MOSFET, peamised seadmed MOSFET ja elektritööriistad MOSFET.

WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Pooljuht MOSFET PDC692X.

MOSFET-i parameetrid

Sümbol

Parameeter

Hinnang

Ühikud

VDS

Äravooluallika pinge

60

V

VGS

Värava allika pinge

±20

V

ID1,6

Pidev äravooluvool TC=25°C

100

A

TC=100°C

65

IDM2

Impulss äravooluvool TC=25°C

240

A

PD

Maksimaalne võimsuse hajumine TC=25°C

83

W

TC=100°C

50

IAS

Laviinivool, üksikimpulss

45

A

EAS3

Ühe impulsi laviini energia

101

mJ

TJ

Maksimaalne ristmiku temperatuur

150

TSTG

Säilitustemperatuuri vahemik

-55 kuni 150

RθJA1

Soojustakistuse ühendus ümbritseva keskkonnaga

Stabiilne olek

55

/W

RθJC1

Soojustakistus-ühendus korpusega

Stabiilne olek

1.5

/W

 

Sümbol

Parameeter

Tingimused

Min.

Tüüp.

Max

Üksus

Staatiline        

V(BR)DSS

Äravooluallika jaotuspinge

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Nullvärava pinge äravooluvool

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85 °C

   

30

IGSS

Värava lekkevool

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Omaduste kohta        

VGS(TH)

Värava lävipinge

VGS = VDS, IDS = 250 µA

1.2

1.8

2.5

V

RDS (sees)2

Äravooluallika sisselülitatud oleku takistus

VGS = 10V, ID = 20A

 

3.0

3.6

VGS = 4,5 V, ID = 15 A

 

4.4

5.4

Vahetamine        

Qg

Värava kogutasu

VDS = 30V

VGS = 10 V

ID=20A

  58  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge   16  

nC

Qgd

Värava äravoolu tasu  

4.0

 

nC

td (sees)

Sisselülitamise viivitusaeg

VGEN = 10 V

VDD = 30V

ID=20A

RG=Ω

  18  

ns

tr

Sisselülitamise tõusuaeg  

8

 

ns

td (väljas)

Väljalülitamise viivitusaeg   50  

ns

tf

Sügise väljalülitamise aeg   11  

ns

Rg

Gat takistus

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

0.7

 

Ω

Dünaamiline        

Ciss

Mahtuvuses

VGS = 0 V

VDS=30V f=1MHz

 

3458

 

pF

Coss

Välja mahtuvus   1522  

pF

Crss

Pöördülekande mahtuvus   22  

pF

Äravooluallika dioodi omadused ja maksimaalsed väärtused        

IS1,5

Pidev allika vool

VG=VD=0V, jõuvool

   

55

A

ISM

Impulssallika vool3     240

A

VSD2

Dioodi päripinge

ISD = 1A, VGS = 0V

 

0.8

1.3

V

trr

Vastupidine taastumisaeg

ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

QRr

Vastupidine taastamise tasu   33  

nC


  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • Kirjutage oma sõnum siia ja saatke see meile