WSD40120DN56 N-kanaliga 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tooted

WSD40120DN56 N-kanaliga 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Lühike kirjeldus:

Osa number:WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1,85 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakett:DFN5X6-8


Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

WINSOK MOSFET tooteülevaade

WSD40120DN56 MOSFETi pinge on 40V, vool 120A, takistus 1,85mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET kasutusalad

E-sigaretid MOSFET, juhtmevaba laadimine MOSFET, droonid MOSFET, arstiabi MOSFET, autolaadijad MOSFET, kontrollerid MOSFET, digitooted MOSFET, väike kodumasinad MOSFET, olmeelektroonika MOSFET.

WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STLAFT12N4LF6AG.NPHHS4B MOSFET STLAPTOPH14SFET12N4LF6AG.NPHHS4B. MOSFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Pooljuht MOSFET PDC496X.

MOSFET-i parameetrid

Sümbol

Parameeter

Hinnang

Ühikud

VDS

Äravooluallika pinge

40

V

VGS

Värav-Source Pinge

±20

V

ID@TC=25

Pidev äravooluvool, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

Pidev äravooluvool, VGS@ 10V1,7

100

A

IDM

Impulss äravooluvool2

400

A

EAS

Ühe impulsi laviini energia3

240

mJ

IAS

Laviinivool

31

A

PD@TC=25

Totaalne võimsuse hajumine4

104

W

TSTG

Säilitustemperatuuri vahemik

-55 kuni 150

TJ

Tööühenduse temperatuurivahemik

-55 kuni 150

 

Sümbol

Parameeter

Tingimused

Min.

Tüüp.

Max

Üksus

BVDSS

Äravooluallika jaotuspinge VGS= 0 V, ID= 250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatuuri koefitsient Viide 25, maD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (SEES)

Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus2 VGS=10V, ID=30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS (SEES)

Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus2 VGS = 4,5 V, ID=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Värava lävipinge VGS=VDS, maD= 250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatuuri koefitsient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Äravooluallika lekkevool VDS=32V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS= 0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Värava allika lekkevool VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Edasijuhtivus VDS= 5 V, ID=20A

---

55

---

S

Rg

Värava takistus VDS= 0 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Värava kogulaeng (10 V) VDS=20V, VGS=10V, ID=10A

---

76

91

nC

Qgs

Värava allika tasu

---

12

14.4

Qgd

Värava äravoolu tasu

---

15.5

18.6

Td (sees)

Sisselülitamise viivitusaeg VDD=30 V, VGEN=10V, RG=1Ω, maD=1A,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Tõusuaeg

---

10

12

Td (väljas)

Väljalülitamise viivitusaeg

---

58

69

Tf

Sügisene aeg

---

34

40

Ciss

Sisendmahtuvus VDS=20V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

4350

---

pF

Coss

Väljundmahtuvus

---

690

---

Crss

Pöördülekande mahtuvus

---

370

---


  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • Kirjutage oma sõnum siia ja saatke see meile