WSD45N10GDN56 N-kanaliga 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tooted

WSD45N10GDN56 N-kanaliga 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Lühike kirjeldus:

Osa number:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

ID:45A

RDSON:14,5 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakett:DFN5X6-8


Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

WINSOK MOSFET tooteülevaade

WSD45N10GDN56 MOSFETi pinge on 100V, vool 45A, takistus 14,5mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET kasutusalad

E-sigaretid MOSFET, juhtmevaba laadimine MOSFET, mootorid MOSFET, droonid MOSFET, arstiabi MOSFET, autolaadijad MOSFET, kontrollerid MOSFET, digitooted MOSFET, väike kodumasinad MOSFET, olmeelektroonika MOSFET.

WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Pooljuht-MOSFET PDC966X.

MOSFET-i parameetrid

Sümbol

Parameeter

Hinnang

Ühikud

VDS

Äravooluallika pinge

100

V

VGS

Värav-Source Pinge

±20

V

ID@TC=25

Pidev äravooluvool, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Pidev äravooluvool, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Pidev äravooluvool, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Pidev äravooluvool, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Impulss äravooluvool

130

A

EASb

Ühe impulsi laviini energia

169

mJ

IASb

Laviinivool

26

A

PD@TC=25

Totaalne võimsuse hajumine

95

W

PD@TA=25

Totaalne võimsuse hajumine

5.0

W

TSTG

Säilitustemperatuuri vahemik

-55 kuni 150

TJ

Tööühenduse temperatuurivahemik

-55 kuni 150

 

Sümbol

Parameeter

Tingimused

Min.

Tüüp.

Max

Üksus

BVDSS

Äravooluallika jaotuspinge VGS= 0 V, ID= 250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSS temperatuuri koefitsient Viide 25, maD= 1 mA

---

0,0

---

V/

RDS (SEES)d

Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus2 VGS=10V, ID=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Värava lävipinge VGS=VDS, maD= 250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatuuri koefitsient

---

-5   mV/

IDSS

Äravooluallika lekkevool VDS=80V, VGS= 0 V, TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V, VGS= 0 V, TJ=55

---

- 30

IGSS

Värava allika lekkevool VGS=±20V, VDS= 0 V

---

- ±100

nA

Rge

Värava takistus VDS= 0 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Värava kogulaeng (10 V) VDS=50 V, VGS=10V, ID=26A

---

42

59

nC

Qgse

Värava allika tasu

---

12

--

Qgde

Värava äravoolu tasu

---

12

---

Td (sees)e

Sisselülitamise viivitusaeg VDD=30 V, VGEN=10V, RG=6Ω

ID=1A,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Tõusuaeg

---

9

17

Td (väljas)e

Väljalülitamise viivitusaeg

---

36

65

Tfe

Sügisene aeg

---

22

40

Cisse

Sisendmahtuvus VDS=30 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Väljundmahtuvus

---

215

---

Crsse

Pöördülekande mahtuvus

---

42

---


  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • Kirjutage oma sõnum siia ja saatke see meile