WSD6060DN56 N-kanaliga 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

lühike kirjeldus:

Osa number:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakett:DFN5X6-8

Saada meile e-kiri PDF

Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

WINSOK MOSFET tooteülevaade

WSD6060DN56 MOSFETi pinge on 60V, vool 65A, takistus 7,5mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET kasutusalad

E-sigaretid MOSFET, juhtmevaba laadimine MOSFET, mootorid MOSFET, droonid MOSFET, arstiabi MOSFET, autolaadijad MOSFET, kontrollerid MOSFET, digitooted MOSFET, väike kodumasinad MOSFET, olmeelektroonika MOSFET.

WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Pooljuht MOSFET PDC696X.

MOSFET-i parameetrid

Sümbol	Parameeter		Hinnang	Üksus
Ühised hinnangud
VDSS	Äravooluallika pinge		60	V
VGSS	Värava allika pinge		±20	V
T_J	Maksimaalne ristmiku temperatuur		150	°C
TSTG	Säilitustemperatuuri vahemik		-55 kuni 150	°C
I_S	Dioodi pidev edasivool	T_c=25 °C	30	A
ID	Pidev äravooluvool	T_c=25 °C	65	A
ID	Pidev äravooluvool	T_c=70 °C	42	A
I DM b	Testitud impulsi äravoolu voolu	T_c=25 °C	250	A
P_D	Maksimaalne võimsuse hajumine	T_c=25 °C	62.5	W
P_D	Maksimaalne võimsuse hajumine	T_C=70 °C	38	W
R_qJL	Soojustakistus - ristmik pliiga	Stabiilne olek	2.1	°C/W
RqJA	Soojustakistus – ühendus ümbritseva keskkonnaga	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Soojustakistus – ühendus ümbritseva keskkonnaga	Stabiilne olek^b	50	°C/W
I AS^d	Laviinivool, üksikimpulss	L = 0,5 mH	18	A
E AS d	Laviinienergia, üksik impulss	L = 0,5 mH	81	mJ

Sümbol	Parameeter	Testimistingimused		Min.	Tüüp.	Max	Üksus
Staatilised karakteristikud
BV_DSS	Äravooluallika jaotuspinge	V_GS= 0 V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Nullvärava pinge äravooluvool	V_DS=48 V, V_GS= 0 V		-	-	1	mA
IDSS	Nullvärava pinge äravooluvool						mA
			T_J=85 °C	-	-	30
VGS(th)	Värava lävipinge	V_DS=V_GS, ma_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Värava lekkevool	V_GS=±20 V, V_DS= 0 V		-	-	±100	nA
R DS (SEES) 3	Äravooluallika sisselülitatud oleku takistus	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS (SEES) 3	Äravooluallika sisselülitatud oleku takistus	V_GS= 4,5 V, I_DS= 15 A		-	10	15	m W
Dioodi omadused
V SD	Dioodi päripinge	I_SD=1A, V_GS= 0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Vastupidine taastumisaeg	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Vastupidine taastamise tasu	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Dünaamilised omadused^3,4
R_G	Värava takistus	V_GS= 0 V, V_DS= 0 V, F = 1 MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Sisendmahtuvus	V_GS= 0 V, V_DS= 30 V, F = 1,0 MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Väljundmahtuvus			-	270	-
C_rss	Pöördülekande mahtuvus			-	40	-
td (ON)	Sisselülitamise viivitusaeg	VDD=30V, IDS=1A, VGEN = 10 V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Sisselülitamise tõusuaeg			-	6	-
td (VÄLJAS)	Väljalülitamise viivitusaeg			-	33	-
t_f	Sügise väljalülitamise aeg			-	30	-
Värava laengu omadused ^3,4
Q_g	Värava kogutasu	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Värava kogutasu	V_DS=30 V, V_GS= 10 V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Läve värava tasu			-	4.1	-
Q_gs	Värava allika tasu			-	5	-
Q_gd	Värava äravoolu tasu			-	4.2	-