WSD6070DN56 N-kanaliga 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET tooteülevaade
WSD6070DN56 MOSFETi pinge on 60V, vool 80A, takistus 7,3mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET kasutusalad
E-sigaretid MOSFET, juhtmevaba laadimine MOSFET, mootorid MOSFET, droonid MOSFET, arstiabi MOSFET, autolaadijad MOSFET, kontrollerid MOSFET, digitooted MOSFET, väike kodumasinad MOSFET, olmeelektroonika MOSFET.
WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele
POTENS pooljuht MOSFET PDC696X.
MOSFET-i parameetrid
| Sümbol | Parameeter | Hinnang | Ühikud |
| VDS | Äravooluallika pinge | 60 | V |
| VGS | Värav-Source Pinge | ±20 | V |
| TJ | Maksimaalne ristmiku temperatuur | 150 | °C |
| ID | Säilitustemperatuuri vahemik | -55 kuni 150 | °C |
| IS | Dioodi pidev edasivool, TC=25 °C | 80 | A |
| ID | Pidev äravooluvool, VGS=10V,TC=25 °C | 80 | A |
| Pidev äravooluvool, VGS=10V,TC=100 °C | 66 | A | |
| IDM | Impulss äravooluvool ,TC=25 °C | 300 | A |
| PD | Maksimaalne võimsuse hajumine, TC=25 °C | 150 | W |
| Maksimaalne võimsuse hajumine, TC=100 °C | 75 | W | |
| RθJA | Soojustakistus-ühendus ümbritseva keskkonnaga ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Soojustakistus - ühendus ümbritseva keskkonnaga, püsiseisund | 62.5 | °C/W | |
| RqJC | Soojustakistus-ühendus korpusega | 1 | °C/W |
| IAS | Laviinivool, üksikimpulss, L = 0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Laviinienergia, üksikimpulss, L = 0,5 mH | 225 | mJ |
| Sümbol | Parameeter | Tingimused | Min. | Tüüp. | Max | Üksus |
| BVDSS | Äravooluallika jaotuspinge | VGS= 0 V, ID= 250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuuri koefitsient | Viide 25℃, maD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (SEES) | Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | Värava lävipinge | VGS=VDS, maD= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatuuri koefitsient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Äravooluallika lekkevool | VDS=48 V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS= 0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Värava allika lekkevool | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Edasijuhtivus | VDS= 5 V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Värava takistus | VDS= 0 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Värava kogulaeng (10 V) | VDS=30 V, VGS=10V, ID=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Värava allika tasu | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Värava äravoolu tasu | --- | 12 | --- | ||
| Td (sees) | Sisselülitamise viivitusaeg | VDD=30 V, VGEN=10V, RG=1Ω, maD=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Tõusuaeg | --- | 10 | --- | ||
| Td (väljas) | Väljalülitamise viivitusaeg | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Sügisene aeg | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Sisendmahtuvus | VDS=30 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Väljundmahtuvus | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Pöördülekande mahtuvus | --- | 160 | --- |
