WSD60N10GDN56 N-kanaliga 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tooted

WSD60N10GDN56 N-kanaliga 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Lühike kirjeldus:

Osa number:WSD60N10GDN56

BVDSS:100V

ID:60A

RDSON:8,5 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakett:DFN5X6-8


Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

WINSOK MOSFET tooteülevaade

WSD60N10GDN56 MOSFETi pinge on 100V, vool 60A, takistus 8,5mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET kasutusalad

E-sigaretid MOSFET, juhtmevaba laadimine MOSFET, mootorid MOSFET, droonid MOSFET, arstiabi MOSFET, autolaadijad MOSFET, kontrollerid MOSFET, digitooted MOSFET, väike kodumasinad MOSFET, olmeelektroonika MOSFET.

MOSFETi rakendusväljadWINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.MOSFETANPHBANSC3B3GGNSFNSFINEON.1 L,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Pooljuht MOSFET PDC92X.

MOSFET-i parameetrid

Sümbol

Parameeter

Hinnang

Ühikud

VDS

Äravooluallika pinge

100

V

VGS

Värava allika pinge

±20

V

ID@TC= 25 ℃

Pidev äravooluvool

60

A

IDP

Impulss äravooluvool

210

A

EAS

Laviinienergia, üksik impulss

100

mJ

PD@TC= 25 ℃

Totaalne võimsuse hajumine

125

W

TSTG

Säilitustemperatuuri vahemik

-55 kuni 150

TJ 

Tööühenduse temperatuurivahemik

-55 kuni 150

 

Sümbol

Parameeter

Tingimused

Min.

Tüüp.

Max

Üksus

BVDSS 

Äravooluallika jaotuspinge VGS= 0 V, ID= 250uA

100

---

---

V

  Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus VGS=10V,ID=10A.

---

8.5

10. 0

RDS (SEES)

VGS=4,5V,ID=10A.

---

9.5

12. 0

VGS(th)

Värava lävipinge VGS=VDS, maD= 250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Äravooluallika lekkevool VDS=80V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Värava allika lekkevool VGS=±20 V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

Qg 

Värava kogulaeng (10 V) VDS=50 V, VGS=10V, ID=25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

Värava allika tasu

---

6.5

---

Qgd 

Värava äravoolu tasu

---

12.4

---

Td (sees)

Sisselülitamise viivitusaeg VDD=50 V, VGS=10V,RG=2,2Ω, ID=25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Tõusuaeg

---

5

---

Td (väljas)

Väljalülitamise viivitusaeg

---

51.8

---

Tf 

Sügisene aeg

---

9

---

Ciss 

Sisendmahtuvus VDS=50 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

2604

---

pF

Coss

Väljundmahtuvus

---

362

---

Crss 

Pöördülekande mahtuvus

---

6.5

---

IS 

Pidev allika vool VG=VD=0V, jõuvool

---

---

60

A

ISP

Impulssallika vool

---

---

210

A

VSD

Dioodi päripinge VGS= 0 V, IS=12A, TJ= 25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Vastupidine taastumisaeg IF=12A,dl/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

Vastupidine taastamise tasu

---

106.1

---

nC


  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • Kirjutage oma sõnum siia ja saatke see meile