WSD75100DN56 N-kanaliga 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET tooteülevaade
WSD75100DN56 MOSFETi pinge on 75 V, vool 100 A, takistus 5,3 mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET kasutusalad
E-sigaretid MOSFET, juhtmevaba laadimine MOSFET, droonid MOSFET, arstiabi MOSFET, autolaadijad MOSFET, kontrollerid MOSFET, digitooted MOSFET, väike kodumasinad MOSFET, olmeelektroonika MOSFET.
WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET P727,IR MOSFET BSC42NE7NS6POTENG,3NSCNE7NS6POCON. 66X.
MOSFET-i parameetrid
| Sümbol | Parameeter | Hinnang | Ühikud |
| VDS | Äravooluallika pinge | 75 | V |
| VGS | Värav-Source Pinge | ±25 | V |
| TJ | Maksimaalne ristmiku temperatuur | 150 | °C |
| ID | Säilitustemperatuuri vahemik | -55 kuni 150 | °C |
| IS | Dioodi pidev edasivool, TC=25 °C | 50 | A |
| ID | Pidev äravooluvool, VGS=10V,TC=25 °C | 100 | A |
| Pidev äravooluvool, VGS=10V,TC=100 °C | 73 | A | |
| IDM | Impulss äravooluvool ,TC=25 °C | 400 | A |
| PD | Maksimaalne võimsuse hajumine, TC=25 °C | 155 | W |
| Maksimaalne võimsuse hajumine, TC=100 °C | 62 | W | |
| RθJA | Soojustakistus-ühendus ümbritseva keskkonnaga ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Soojustakistus - ühendus ümbritseva keskkonnaga, püsiseisund | 60 | °C | |
| RqJC | Soojustakistus-ühendus korpusega | 0.8 | °C |
| IAS | Laviinivool, üksikimpulss, L = 0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Laviinienergia, üksikimpulss, L = 0,5 mH | 225 | mJ |
| Sümbol | Parameeter | Tingimused | Min. | Tüüp. | Max | Üksus |
| BVDSS | Äravooluallika jaotuspinge | VGS= 0 V, ID= 250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuuri koefitsient | Viide 25℃, maD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (SEES) | Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Värava lävipinge | VGS=VDS, maD= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatuuri koefitsient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Äravooluallika lekkevool | VDS=48 V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS= 0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Värava allika lekkevool | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Edasijuhtivus | VDS= 5 V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Värava takistus | VDS= 0 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Värava kogulaeng (10 V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Värava allika tasu | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Värava äravoolu tasu | --- | 17 | --- | ||
| Td (sees) | Sisselülitamise viivitusaeg | VDD=30 V, VGEN=10V, RG=1Ω, maD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Tõusuaeg | --- | 14 | 26 | ||
| Td (väljas) | Väljalülitamise viivitusaeg | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Sügisene aeg | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Sisendmahtuvus | VDS=20V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Väljundmahtuvus | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Pöördülekande mahtuvus | 100 | 195 | 250 |
