WSD80100DN56 N-kanaliga 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tooteid

WSD80100DN56 N-kanaliga 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

lühike kirjeldus:

Osa number:WSD80100DN56

BVDSS:80V

ID:100A

RDSON:6,1 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakett:DFN5X6-8


Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

WINSOK MOSFET tooteülevaade

WSD80100DN56 MOSFETi pinge on 80V, vool 100A, takistus 6,1mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET kasutusalad

Droonid MOSFET, mootorid MOSFET, autoelektroonika MOSFET, peamised seadmed MOSFET.

WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Pooljuht MOSFET PDC7966X.

MOSFET-i parameetrid

Sümbol

Parameeter

Hinnang

Ühikud

VDS

Äravooluallika pinge

80

V

VGS

Värav-Source Pinge

±20

V

TJ

Maksimaalne ristmiku temperatuur

150

°C

ID

Säilitustemperatuuri vahemik

-55 kuni 150

°C

ID

Pidev äravooluvool, VGS=10V,TC=25 °C

100

A

Pidev äravooluvool, VGS=10V,TC=100 °C

80

A

IDM

Impulss äravooluvool ,TC=25 °C

380

A

PD

Maksimaalne võimsuse hajumine, TC=25 °C

200

W

RqJC

Soojustakistus-ühendus korpusega

0.8

°C

EAS

Laviinienergia, üksikimpulss, L = 0,5 mH

800

mJ

 

Sümbol

Parameeter

Tingimused

Min.

Tüüp.

Max

Üksus

BVDSS

Äravooluallika jaotuspinge VGS= 0 V, ID= 250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatuuri koefitsient Viide 25, maD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (SEES)

Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus2 VGS=10V, ID=40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Värava lävipinge VGS=VDS, maD= 250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatuuri koefitsient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Äravooluallika lekkevool VDS=48 V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48 V, VGS= 0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Värava allika lekkevool VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Edasijuhtivus VDS= 5 V, ID=20A

80

---

---

S

Qg

Värava kogulaeng (10 V) VDS=30 V, VGS=10V, ID=30A

---

125

---

nC

Qgs

Värava allika tasu

---

24

---

Qgd

Värava äravoolu tasu

---

30

---

Td (sees)

Sisselülitamise viivitusaeg VDD=30 V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, maD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Tõusuaeg

---

19

---

Td (väljas)

Väljalülitamise viivitusaeg

---

70

---

Tf

Sügisene aeg

---

30

---

Ciss

Sisendmahtuvus VDS=25 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

4900

---

pF

Coss

Väljundmahtuvus

---

410

---

Crss

Pöördülekande mahtuvus

---

315

---


  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • Kirjutage oma sõnum siia ja saatke see meile