WSD80120DN56 N-kanaliga 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET tooteülevaade
WSD80120DN56 MOSFETi pinge on 85V, vool 120A, takistus 3,7mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET kasutusalad
Meditsiinipinge MOSFET, fototehnika MOSFET, droonid MOSFET, tööstusjuhtimine MOSFET, 5G MOSFET, autoelektroonika MOSFET.
WINSOK MOSFET vastab teistele brändi materjalide numbritele
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET-i parameetrid
Sümbol | Parameeter | Hinnang | Ühikud |
VDS | Äravooluallika pinge | 85 | V |
VGS | Värav-Source Pinge | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | Pidev äravooluvool, VGS@ 10V | 120 | A |
ID@TC=100℃ | Pidev äravooluvool, VGS@ 10V | 96 | A |
IDM | Impulss äravooluvool..TC=25 °C | 384 | A |
EAS | Laviinienergia, üksikimpulss, L = 0,5 mH | 320 | mJ |
IAS | Laviinivool, üksikimpulss, L = 0,5 mH | 180 | A |
PD@TC=25℃ | Totaalne võimsuse hajumine | 104 | W |
PD@TC=100℃ | Totaalne võimsuse hajumine | 53 | W |
TSTG | Säilitustemperatuuri vahemik | -55 kuni 175 | ℃ |
TJ | Tööühenduse temperatuurivahemik | 175 | ℃ |
Sümbol | Parameeter | Tingimused | Min. | Tüüp. | Max | Üksus |
BVDSS | Äravooluallika jaotuspinge | VGS= 0 V, ID= 250uA | 85 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuuri koefitsient | Viide 25℃, maD= 1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
RDS (SEES) | Staatiline äravooluallika sisselülitamise takistus | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
VGS(th) | Värava lävipinge | VGS=VDS, maD= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperatuuri koefitsient | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Äravooluallika lekkevool | VDS=85V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=85V, VGS= 0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Värava allika lekkevool | VGS=±25V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Värava takistus | VDS= 0 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | Värava kogulaeng (10 V) | VDS=50 V, VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
Qgs | Värava allika tasu | --- | 17 | --- | ||
Qgd | Värava äravoolu tasu | --- | 11 | --- | ||
Td (sees) | Sisselülitamise viivitusaeg | VDD=50 V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
Tr | Tõusuaeg | --- | 18 | --- | ||
Td (väljas) | Väljalülitamise viivitusaeg | --- | 36 | --- | ||
Tf | Sügisene aeg | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Sisendmahtuvus | VDS=40 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 3750 | --- | pF |
Coss | Väljundmahtuvus | --- | 395 | --- | ||
Crss | Pöördülekande mahtuvus | --- | 180 | --- |