WSP4088 N-kanaliga 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

lühike kirjeldus:

Mudeli number:WSP4088

BVDSS:40V

RDSON:13 mΩ

ID:11A

Kanal:N-kanal

Pakett:SOP-8

Suvine toode:WSP4088 MOSFETi pinge on 40V, vool 11A, takistus 13mΩ, kanal N-kanaliga ja pakett SOP-8.

Rakendused:Elektroonilised sigaretid, juhtmeta laadimine, mootorid, droonid, meditsiiniseadmed, autolaadimine, kontrollerid, digitooted, väikesed kodumasinad, olmeelektroonika jne

Saada meile e-kiri PDF

Toote üksikasjad

Rakendus

Tootesildid

Üldine kirjeldus

WSP4088 on kõrgeima jõudlusega N-kanaliga MOSFET, millel on väga kõrge rakutihedus, pakkudes suurepärast RDSON-i ja värava laadimist enamiku sünkroonsete buck-muundurite rakenduste jaoks. WSP4088 vastab RoHS-i ja keskkonnasäästlike toodete nõuetele, 100% EAS-i garantii, täisfunktsiooni töökindlus kinnitatud.

Omadused

Saadaval on töökindlad ja vastupidavad, pliivabad ja rohelised seadmed

Rakendused

Toitehaldus lauaarvutites või alalis-alalisvoolumuundurites, elektroonilistes sigarettides, juhtmevaba laadimises, mootorites, droonides, meditsiiniseadmetes, autolaadimises, kontrollerides, digitaalsetes toodetes, väikestes kodumasinates, olmeelektroonikas jne

vastav materjali number

AO AO4884 AO4882, FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916 jne.

Olulised parameetrid

Absoluutsed maksimumhinnangud (TA = 25 C, kui pole teisiti märgitud)

Sümbol	Parameeter		Hinnang	Üksus
Ühised hinnangud
VDSS	Äravooluallika pinge		40	V
VGSS	Värava allika pinge		±20	V
TJ	Maksimaalne ristmiku temperatuur		150	°C
TSTG	Säilitustemperatuuri vahemik		-55 kuni 150	°C
IS	Dioodi pidev edasivool	TA = 25 °C	2	A
ID	Pidev äravooluvool	TA = 25 °C	11	A
ID	Pidev äravooluvool	TA = 70 °C	8.4
IDM a	Impulss äravooluvool	TA = 25 °C	30
PD	Maksimaalne võimsuse hajumine	TA = 25 °C	2.08	W
PD	Maksimaalne võimsuse hajumine	TA = 70 °C	1.3	W
RqJA	Soojustakistus – ühendus ümbritseva keskkonnaga	t 10 naela	30	°C/W
RqJA	Soojustakistus – ühendus ümbritseva keskkonnaga	Stabiilne olek	60
RqJL	Soojustakistus - ristmik pliiga	Stabiilne olek	20
IAS b	Laviinivool, üksikimpulss	L = 0,1 mH	23	A
EAS b	Laviinienergia, üksik impulss	L = 0,1 mH	26	mJ

Märkus a:Max vool on piiratud sidetraadiga.
Märkus b:UIS testitud ja impulsi laius piiratud maksimaalse ristmiku temperatuuriga 150oC (algtemperatuur Tj=25oC).

Elektrilised omadused (TA = 25 C, kui pole teisiti märgitud)

Sümbol	Parameeter	Testimistingimused		Min.	Tüüp.	Max	Üksus
Staatilised karakteristikud
BVDSS	Äravooluallika jaotuspinge	VGS = 0 V, IDS = 250 mA		40	-	-	V
IDSS	Nullvärava pinge äravooluvool	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Nullvärava pinge äravooluvool		TJ = 85 °C	-	-	30	mA
VGS(th)	Värava lävipinge	VDS = VGS, IDS = 250 mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Värava lekkevool	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
RDS(ON) c	Äravooluallika sisselülitatud oleku takistus	VGS=10V, IDS=7A		-	10.5	13	mW
			TJ = 125 °C	-	15.75	-
		VGS=4,5V, IDS=5A		-	12	16
Gfs	Edasijuhtivus	VDS=5V, IDS=15A		-	31	-	S
Dioodi omadused
VSD c	Dioodi päripinge	ISD=10A, VGS=0V		-	0.9	1.1	V
trr	Vastupidine taastumisaeg	VDD=20V, ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	Laadimisaeg			-	9.4	-
tb	Tühjenemise aeg			-	5.8	-
QRr	Vastupidine taastamise tasu			-	9.5	-	nC
Dünaamilised omadused d
RG	Värava takistus	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0.7	1.1	1.8	W
Ciss	Sisendmahtuvus	VGS = 0 V, VDS = 20 V, sagedus = 1,0 MHz		-	1125	-	pF
Coss	Väljundmahtuvus			-	132	-
Crss	Pöördülekande mahtuvus			-	70	-
td (ON)	Sisselülitamise viivitusaeg	VDD = 20 V, RL = 20 W, IDS = 1 A, VGEN = 10 V, RG = 1 W		-	12.6	-	ns
tr	Sisselülitamise tõusuaeg			-	10	-
td (VÄLJAS)	Väljalülitamise viivitusaeg			-	23.6	-
tf	Sügise väljalülitamise aeg			-	6	-
Värava laengu omadused d
Qg	Värava kogutasu	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	Värava kogutasu	VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A		-	20	28
Qgth	Läve värava tasu			-	2	-
Qgs	Värava allika tasu			-	3.9	-
Qgd	Värava äravoolu tasu			-	3	-