WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Üldine kirjeldus
WSP6067A MOSFET-id on kõige arenenumad kaeviku P-ch tehnoloogia jaoks, millel on väga suur rakkude tihedus. Need pakuvad suurepärast jõudlust nii RDSON-i kui ka värava laadimise osas, mis sobivad enamiku sünkroonsete buck-muunduritega. Need MOSFET-id vastavad RoHS-i ja rohelise toote kriteeriumidele ning 100% EAS tagab täieliku töökindluse.
Omadused
Täiustatud tehnoloogia võimaldab suure tihedusega rakukraavi moodustumist, mille tulemuseks on ülimadal paiselaeng ja suurepärane CdV/dt efekti vähenemine. Meie seadmetel on 100% EAS garantii ja need on keskkonnasõbralikud.
Rakendused
Kõrge sagedusega laadimispunkti sünkroonne Buck-muundur, võrguühenduse alalis-alalisvoolu toitesüsteem, laadimislüliti, e-sigaretid, juhtmeta laadimine, mootorid, droonid, meditsiiniseadmed, autolaadijad, kontrollerid, elektroonikaseadmed, väikesed kodumasinad ja olmeelektroonika .
vastav materjali number
AOS
Olulised parameetrid
Sümbol | Parameeter | Hinnang | Ühikud | |
N-kanal | P-kanal | |||
VDS | Äravooluallika pinge | 60 | -60 | V |
VGS | Värava allika pinge | ±20 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Pidev äravooluvool, VGS @ 10V1 | 7.0 | -5,0 | A |
ID@TC=100 ℃ | Pidev äravooluvool, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2.5 | A |
IDM | Impulss äravooluvool2 | 28 | -20 | A |
EAS | Ühe impulsi laviini energia3 | 22 | 28 | mJ |
IAS | Laviinivool | 21 | -24 | A |
PD@TC=25℃ | Koguvõimsuse hajumine4 | 2.0 | 2.0 | W |
TSTG | Säilitustemperatuuri vahemik | -55 kuni 150 | -55 kuni 150 | ℃ |
TJ | Tööühenduse temperatuurivahemik | -55 kuni 150 | -55 kuni 150 | ℃ |
Sümbol | Parameeter | Tingimused | Min. | Tüüp. | Max | Üksus |
BVDSS | Äravooluallika jaotuspinge | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperatuuri koefitsient | Viide temperatuurile 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
RDS (SEES) | Staatilise äravooluallika sisselülitatud takistus2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
VGS=4,5V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
VGS(th) | Värava lävipinge | VGS = VDS , ID = 250uA | 1 | 2 | 3 | V |
△ VGS(th) | VGS(th) Temperatuurikoefitsient | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Äravooluallika lekkevool | VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Värava allika lekkevool | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Edasijuhtivus | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
Rg | Värava takistus | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
Qg | Värava kogulaeng (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
Qgs | Värava allika tasu | --- | 2.6 | --- | ||
Qgd | Värava äravoolu tasu | --- | 4.1 | --- | ||
Td (sees) | Sisselülitamise viivitusaeg | VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
Tr | Tõusuaeg | --- | 34 | --- | ||
Td (väljas) | Väljalülitamise viivitusaeg | --- | 23 | --- | ||
Tf | Sügisene aeg | --- | 6 | --- | ||
Ciss | Sisendmahtuvus | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
Coss | Väljundmahtuvus | --- | 65 | --- | ||
Crss | Pöördülekande mahtuvus | --- | 45 | --- |