WST2011 kahe P-kanaliga -20V -3,2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Üldkirjeldus
WST2011 MOSFETid on kõige arenenumad saadaolevad P-ch transistorid, millel on ületamatu rakkude tihedus.Need pakuvad erakordset jõudlust, madala RDSON-i ja värava laenguga, muutes need ideaalseks väikeste toitelülitite ja koormuslülitite jaoks.Lisaks vastab WST2011 RoHS ja Green Product standarditele ning sellel on täieliku töökindluse kinnitus.
Funktsioonid
Täiustatud Trench-tehnoloogia võimaldab suuremat rakkude tihedust, mille tulemuseks on ülimadala väravlaenguga roheline seade ja suurepärane CdV/dt efekti langus.
Rakendused
Kõrgsageduslik koormuspunkti sünkroonne väikese toitelülitus sobib kasutamiseks MB/NB/UMPC/VGA, võrgu alalis-alalisvoolu toitesüsteemides, koormuslülitites, e-sigarettides, kontrollerites, digitoodetes, väikestes kodumasinates ja olmeelektroonikas. .
vastav materjali number
FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Olulised parameetrid
| Sümbol | Parameeter | Hinnang | Ühikud | |
| 10s | Stabiilne olek | |||
| VDS | Äravooluallika pinge | -20 | V | |
| VGS | Värava allika pinge | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Pidev äravooluvool, VGS @ -4,5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70 ℃ | Pidev äravooluvool, VGS @ -4,5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Impulss äravooluvool2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Kogu võimsuse hajumine3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70 ℃ | Kogu võimsuse hajumine3 | 1.2 | 0.9 | W |
| TSTG | Säilitustemperatuuri vahemik | -55 kuni 150 | ℃ | |
| TJ | Tööühenduse temperatuurivahemik | -55 kuni 150 | ℃ | |
| Sümbol | Parameeter | Tingimused | Min. | Tüüp. | Max | Üksus |
| BVDSS | Äravooluallika jaotuspinge | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperatuuri koefitsient | Viide temperatuurile 25 ℃, ID=-1 mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS (SEES) | Staatilise äravooluallika sisselülitatud takistus2 | VGS=-4,5V , ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V , ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Värava lävipinge | VGS = VDS , ID = -250uA | -0,5 | -1,0 | -1.5 | V |
| △ VGS(th) | VGS(th) Temperatuurikoefitsient | --- | 3.95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Äravooluallika lekkevool | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS = -16 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Värava allika lekkevool | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Edasijuhtivus | VDS=-5V , ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Värava kogulaeng (-4,5 V) | VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Värava allika tasu | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Värava äravoolu tasu | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td (sees) | Sisselülitamise viivitusaeg | VDD = -15 V , VGS = -4,5 V , RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Tõusuaeg | --- | 9.3 | --- | ||
| Td (väljas) | Väljalülitamise viivitusaeg | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Sügisene aeg | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Sisendmahtuvus | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Väljundmahtuvus | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Pöördülekande mahtuvus | --- | 68 | --- |
