MOSFETi soojuse tekke oluliste põhjuste analüüs

N-tüüpi, P-tüüpi MOSFET-i tööpõhimõte on sisuliselt sama, MOSFET-i lisatakse peamiselt paisupinge sisendpoolele, et edukalt juhtida äravooluvoolu väljundpoolt, MOSFET on pingega juhitav seade, lisatava pinge kaudu väravale, et juhtida seadme omadusi, erinevalt trioodist, et teha lülitusaega laengu salvestamise efekti põhjustatud baasvoolu tõttu, lülitusrakendustes, MOSFET-id lülitusrakendustes,MOSFET-id lülituskiirus on kiirem kui trioodil.

Lülitustoiteallikas, tavaliselt kasutatavas MOSFET-i avatud äravooluahelas, on äravool ühendatud koormusega sellisel kujul, mida nimetatakse avatud äravooluahelaks, avatud äravooluahelaks, koormus on ühendatud sellega, kui kõrge pinge on võimeline sisse lülituma, välja lülitama koormusvool on ideaalne analooglülitusseade, mis on MOSFET-i põhimõte lülitusseadmete tegemiseks, MOSFET-i põhimõteteks on lülitusi rohkemate ahelate kujul.

Lülitustoiteallika rakenduste osas nõuab see rakendus MOSFETid perioodiliseks juhtimiseks, väljalülitamiseks, näiteks põhilises buck-muunduris tavaliselt kasutatav alalis-alalisvoolu toiteallikas toetub lülitusfunktsiooni täitmiseks kahele MOSFET-ile, need lülitid vaheldumisi induktiivpoolis salvestavad energiat, vabastavad energia koormusele, valivad sageli sadu kHz või isegi üle 1 MHz, peamiselt seetõttu, et mida kõrgem on siis sagedus, seda väiksemad on magnetkomponendid. Normaalse töö ajal on MOSFET samaväärne juhiga, näiteks suure võimsusega MOSFET-id, väikese pingega MOSFET-id, ahelad, toiteallikas on MOS-i minimaalne juhtivuskadu.

MOSFET PDF parameetrid, MOSFETi tootjad on edukalt kasutusele võtnud RDS (ON) parameetri sisselülitatud impedantsi määratlemiseks, rakenduste vahetamiseks on RDS (ON) seadme kõige olulisem omadus; andmelehtedel on defineeritud RDS (ON), paisu (või ajami) pinge VGS ja lülitit läbiv vool on seotud, piisava väravaajami jaoks on RDS (ON) suhteliselt staatiline parameeter; Juhtivuses olnud MOSFET-id on altid soojuse tekkele ja aeglaselt tõusev ühendustemperatuur võib põhjustada RDS (ON) tõusu;MOSFET andmelehtedel on täpsustatud soojustakistuse parameeter, mis on määratletud kui MOSFET-i paketi pooljuhtide ristmiku võime soojust hajutada, ja RθJC on lihtsalt defineeritud kui ristmiku soojustakistus.

1, sagedus on liiga kõrge, mõnikord liialdades helitugevust, põhjustab otse kõrge sageduse, MOSFET-i kadu suureneb, seda suurem on soojus, ei tee head tööd piisava soojuse hajumise konstruktsiooniga, kõrge vooluga, nominaalvooluga MOSFETi praegune väärtus, vajadus hea soojuse hajumise järele; ID on väiksem kui maksimaalne vool, võib olla tõsine kuumus, vajadus piisavate lisajahutite järele.

2, MOSFET-i valikuvead ja vead võimsuse hindamisel, MOSFET-i sisemist takistust ei võeta täielikult arvesse, see põhjustab MOSFET-i kütteprobleemide lahendamisel otseselt lülitustakistuse suurenemist.

3, vooluahela konstruktsiooniprobleemide tõttu, mille tulemuseks on kuumus, nii et MOSFET töötab lineaarses tööolekus, mitte lülitusolekus, mis on MOSFET-i kuumutamise otsene põhjus, näiteks N-MOS lülitab, G- nivoopinge peab olema mõne V võrra kõrgem kui toiteallikas, et täieliku juhtivuse tagamiseks on P-MOS erinev; täielikult avatud puudumisel on pingelang liiga suur, mille tulemuseks on voolutarve, samaväärne alalisvoolu impedants on suurem, pingelangus ka suureneb, U * I suureneb ka, kadu toob kaasa soojuse.