Erinevused IGBT ja MOSFET vahel

IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) ja MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) on kaks levinumat toitepooljuhtseadet, mida kasutatakse laialdaselt jõuelektroonikas. Kuigi mõlemad on erinevates rakendustes olulised komponendid, erinevad need mitmes aspektis oluliselt. Allpool on peamised erinevused IGBT ja MOSFETi vahel:

1. Tööpõhimõte

- IGBT: IGBT ühendab nii BJT (bipolaarse ristmiktransistori) kui ka MOSFETi omadused, muutes selle hübriidseadmeks. See juhib BJT baasi MOSFET-i paisupinge kaudu, mis omakorda juhib BJT juhtivust ja katkestust. Kuigi IGBT juhtivus- ja väljalülitusprotsessid on suhteliselt keerulised, on sellel madalad juhtivuse pingekadud ja kõrge pingetaluvus.

- MOSFET: MOSFET on väljatransistor, mis juhib voolu pooljuhis läbi paisupinge. Kui paisupinge ületab allika pinget, moodustub juhtiv kiht, mis võimaldab voolul voolata. Ja vastupidi, kui paisupinge on alla läve, kaob juhtiv kiht ja vool ei saa voolata. MOSFET-i töö on suhteliselt lihtne ja kiire lülituskiirusega.

2. Kasutusalad

- IGBT: tänu oma kõrgele pingetaluvusele, madalale juhtivuspingekoole ja kiirele lülitustulemusele sobib IGBT eriti suure võimsusega ja väikese kadudega rakenduste jaoks, nagu inverterid, mootoridraiverid, keevitusseadmed ja katkematu toiteallikad (UPS). . Nendes rakendustes haldab IGBT tõhusalt kõrgepinge ja kõrge voolu lülitusoperatsioone.

- MOSFET: MOSFET-i, millel on kiire reageerimine, kõrge sisendtakistus, stabiilne lülitusjõudlus ja madal hind, kasutatakse laialdaselt väikese võimsusega ja kiiresti lülituvates rakendustes, nagu lülitusrežiimi toiteallikad, valgustus, helivõimendid ja loogikaahelad. . MOSFET toimib erakordselt hästi väikese võimsusega ja madalpinge rakendustes.