MOSFET-i testimise voog

MOSFET-i tuvastamise voo MOSFET-e, mis on pooljuhtide valdkonnas üks elementaarsemaid seadmeid, kasutatakse laialdaselt erinevates tootekujundustes ja plaaditaseme vooluahelates. Eriti suure võimsusega pooljuhtide vallas mängivad asendamatut rolli mitmesuguse struktuuriga MOSFET-id. Muidugi kõrge kasutusmäärMOSFETid on toonud kaasa mõningaid väiksemaid probleeme. Üks MOSFET-i lekkeprobleemidest, erinevates kohtades on erinevad lahendused, seega oleme teie jaoks korraldanud mõned tõhusad tõrkeotsingu meetodid.

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekkimine; zal niet veranderen is er geen probleem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen probleem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick markering moet geen grote armen;

4, met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal markering on lõppenud het algemeen zal 0 zijn, op het moment on onder de positieve elektriciteit op basic van deze weerstand aan de MOSFET gate Batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass, multimeter de digital pool pass, zodat ashoe de digital groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.