Kuidas vältida MOSFET-i riket

Kuidas vältida MOSFETi riket

Postitusaeg: 29. juuli 2024

Praeguses etapis tööstuse rakenduste tasandil, esimene järjestatud olmeelektroonika seadme adapter kaupu. Ja vastavalt MOSFET-i haarde põhikasutusele on MOSFET-i nõudlus teisel kohal arvuti emaplaat, NB, arvuti professionaalne toiteadapter, LCD-ekraan ja muud kaubad. Koos põhiliste riiklike tingimuste arengutrendiga on arvutite emaplaadid, arvuti professionaalsed toiteadapterid, LCD monitoridMOSFETid tarbeelektroonika adapterite olukorrast kaugemale.

Allpool onMOS kehtetud kuus peamist põhjust.

1. Maalihe kehtetu (tööpinge kehtetu), mida sageli nimetatakse lekkeks BVdss-i tööpinge allika vahel, mis ületab MOSFET-i nimivoolu ja pärast seda, et teha teatud funktsioon, mis põhjustab kehtetu MOSFET-i.

2. SOA vigane (võimsusvoog kehtetu), nii üle MOSFET-i ohutu tööpiirkonna põhjustatud kehtetu, jagatud ID-ks üle seadme spetsifikatsioonide ja kehtetuks ning selle ID on liiga suur, seadme kõrge kulumine ja pikaajaline soojuse akumuleerumine, mille on põhjustanud kehtetu.

3. Kehtetu diood. Sillas, LLC ja muud tõhusad keha dioodid, et viia läbi võrgu topoloogia jätkamist, kuna kehtetuks tunnistamine mõjutab keha dioodi.

4. Kehtetu seeria resonants. Lingi seeriarakenduses põhjustavad värava ja toiteahela parasiitparameetrid kehtetuks tunnistamisest põhjustatud kõikumisi.

5. Elektrostaatiline induktsioon on kehtetu. Talvel ja sügisel, kuna kere ja masinad ja seadmed on tingitud elektrostaatilisest induktsioonist, mida seade on kehtetu.

6. Vale paisu pinge. Kuna värav oli ebanormaalne tööpinge piigid ja viia värava värava hapnikukiht on kehtetu.