MOSFETe (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) peetakse sageli täielikult juhitavateks seadmeteks. Seda seetõttu, et MOSFET-i tööolekut (sisse või välja) kontrollib täielikult paisupinge (Vgs) ja see ei sõltu baasvoolust nagu bipolaarse transistori (BJT) puhul.
MOSFET-is määrab paisupinge Vgs, kas allika ja äravoolu vahele on moodustatud juhtiv kanal, samuti juhtiva kanali laiuse ja juhtivuse. Kui Vgs ületab lävipinge Vt, moodustub juhtiv kanal ja MOSFET läheb sisselülitatud olekusse; kui Vgs langeb alla Vt, kaob juhtiv kanal ja MOSFET on väljalülitatud olekus. See juhtimine on täielikult juhitav, kuna paisu pinge saab sõltumatult ja täpselt juhtida MOSFET-i tööolekut ilma muudele voolu- või pingeparameetritele tuginemata.
Seevastu pooljuhitavate seadmete (nt türistorid) tööseisundit ei mõjuta mitte ainult juhtpinge või -vool, vaid ka muud tegurid (nt anoodpinge, vool jne). Selle tulemusena pakuvad täielikult juhitavad seadmed (nt MOSFET-id) tavaliselt paremat jõudlust juhtimise täpsuse ja paindlikkuse osas.
Kokkuvõtteks võib öelda, et MOSFET-id on täielikult juhitavad seadmed, mille tööolekut juhib täielikult paisupinge ja mille eelisteks on suur täpsus, suur paindlikkus ja madal energiatarve.