MOSFETi asenduspõhimõte ja hea ja halb otsustus

1, kvalitatiivne otsusMOSFEThea või halb

MOSFETi asendamise põhimõte ja hea või halb otsus, kasutage esmalt multimeetri R × 10 kΩ plokki (sisseehitatud 9 V või 15 V aku), negatiivset pliiatsit (must) on ühendatud väravaga (G), positiivset pliiatsit (punast) allikas (S). Värava ja allika vahel laadimisel kaldub multimeetri osuti veidi kõrvale. Jällegi kasutades multimeetri R × 1Ω plokki, negatiivset pliiatsit äravoolu (D), positiivset pliiatsit allikale (S), näitab multimeeter mõne oomi väärtust, mis näitab, et MOSFET on hea.

2, ristmiku MOSFET-elektroodi kvalitatiivne analüüs

Multimeeter valitakse failile R × 100, punane pliiats ühele jalatorule, must pliiats teisele, nii et kolmas jalg on riputatud. Kui leiate arvesti nõela väikese kõikumise, tõestage, et kolmas jalg on värav. Kui soovite saada selgemaid tulemusi, võite rippuva jala puudutamiseks kasutada ka keha lähedalt või sõrmega, kui näete, et nõel on oluliselt kõrvale kaldunud, st see näitab, et värava rippjalg, ülejäänud kaks jalga allika ja äravoolu jaoks.

Diskrimineerivad põhjused:JFETsisendtakistus on suurem kui 100MΩ ja transjuhtivus on väga kõrge, kui värav on avatud vooluahelaga, saab paisu pingesignaali abil kergesti esile kutsuda ruumi elektromagnetvälja, nii et toru kipub katkema või kaldub juhtivusele. Kui inimkeha otse värava induktsioonipinge tõttu on sisendhäirete signaal tugevam, on ülaltoodud nähtus ilmsem. Näiteks vasakpoolse nihke nõel on väga suur, see tähendab, et toru kipub katkema, äravooluallika takistus RDS suureneb, äravooluallika vool väheneb IDS-i. vastupidi, nõel paremale küljele suur läbipaine, et toru kipub juhtivus, RDS ↓, IDS ↑. Kuid millises suunas arvesti nõel tegelikult kõrvale kaldub, peaks määrama indutseeritud pinge polaarsus (edasi- või vastupidine pinge) ja toru tööpunkt.
Ettevaatusabinõud:

Katsetulemused näitavad, et kui mõlemad käed on isoleeritud D- ja S-postist ning puudutada ainult väravat, kaldub arvesti nõel üldiselt vasakule. Kui aga mõlemad käed puudutavad vastavalt D- ja S-poolust ning sõrmed puudutavad väravat, võib jälgida, et arvesti nõel kaldub paremale. Selle põhjuseks on asjaolu, et mitmed inimkeha osad ja vastupanu kallutavadMOSFETküllastuspiirkonda.

Kristalltrioodi tihvti määramine

Triood koosneb südamikust (kaks PN-ühendust), kolmest elektroodist ja torukestast, kolme elektroodi nimetatakse kollektoriks c, emitteriks e, aluseks b. Praegu on tavaline triood silikoonist tasapinnaline toru, mis jaguneb veel kahte kategooriasse: PNP-tüüpi ja NPN-tüüpi. Germaaniumisulamist torud on praegu haruldased.

Siin tutvustame lihtsat meetodit multimeetri kasutamiseks trioodi trioodi jalgade mõõtmiseks.

1, leidke aluspoolus, määrake toru tüüp (NPN või PNP)

PNP-tüüpi trioodi puhul on C- ja E-poolused selle sees oleva kahe PN-liidese positiivsed poolused ning B-poolus on selle ühine negatiivne poolus, NPN-tüüpi triood aga vastupidine, C- ja E-poolused on negatiivsed poolused. kahest PN-ristmikust ja B-poolus on selle ühine positiivne poolus ning baaspoolust ja toru tüüpi on lihtne määrata vastavalt PN-ristmiku positiivse takistuse omadustele. väike ja vastupidine takistus on suur. Spetsiifiline meetod on:

Kasutage multimeetrit, mille käik on R × 100 või R × 1K. Punane pliiats puudutage tihvti ja seejärel ühendati musta pliiatsiga kahe teise tihvtiga, nii et saate kolme rühma (igas rühmas kaks) näidud, kui üks kahest näitude komplektist on madala takistuse väärtuses. paarsada oomi, kui avalikud tihvtid on punane pliiats, kontakt on alus, transistori tüüp PNP tüüpi; kui avalikud kontaktid on must pliiats, on kontakt alus, transistori tüüp NPN tüüpi.

2, tuvastage emitter ja kollektor

Kuna trioodi produktsioon on kaks P-ala või kaks N-ala dopingukontsentratsiooni piires, on õige võimendi korral trioodil tugev võimendus ja vastupidi, vale võimendiga, võimendi võimendus suurel hulgal väga nõrkadel. , nii et triood õige võimendiga, triood vale võimendiga, seal on suur vahe.

Pärast toru tüübi ja aluse b tuvastamist saab kollektori ja emitteri tuvastada järgmisel viisil. Helistage multimeeter, vajutades R x 1K. Suruge alus ja teine tihvt kahe käega kokku (olge ettevaatlik, et elektroodid ei puutuks otse kokku). Mõõtmisnähtuse selgeks muutmiseks tehke sõrmed märjaks, pigistage punast pliiatsit alusega, musta pliiatsit teise tihvtiga ja pöörake tähelepanu multimeetri osuti paremale pöörde suurusele. Järgmisena reguleerige kahte tihvti, korrake ülaltoodud mõõtmise samme. Võrrelge nõela kõikumise amplituudi kahel mõõtmisel ja selgitage välja suurema pöördega osa. PNP-tüüpi transistoride puhul ühendage must pliiats tihvti ja aluspinnaga kokku, korrake ülaltoodud katseid, et teada saada, kus on nõela kõikumise amplituud suurem, NPN-tüüpi puhul ühendatakse must pliiats alusega, punane pliiats on emitteriga ühendatud. PNP tüübi puhul on punane pliiats ühendatud kollektoriga, must pliiats emitteriga.

Selle identifitseerimismeetodi põhimõte on kasutada multimeetris olevat akut, pinge lisatakse transistori kollektorile ja emitterile, nii et sellel on võime võimendada. Pigistage käega selle alust, kollektorit, mis on võrdne takistusega läbi käe trioodile pluss positiivse eelpingevoolu, nii et see juhiks, sel ajal peegeldab arvesti nõela paremale nihkumise tugevus selle võimendusvõimet, nii et saate õigesti määrata emitteri, kollektori asukoht.