MOSFETide jaoks tavaliselt kasutatavate vooluringi sümbolite variatsioone on palju. Kõige tavalisem kujundus on kanalit tähistav sirgjoon, kaks kanaliga risti olevat joont, mis tähistavad allikat ja äravoolu, ning lühem joon, mis on paralleelne kanaliga vasakul, mis tähistab väravat. Mõnikord asendatakse kanalit tähistav sirgjoon ka katkendliku joonega, et eristada täiustamisrežiimimosfet või tühjendusrežiimiga mosfet, mis jaguneb ka N-kanaliga MOSFET-iks ja P-kanaliga MOSFET-iks kahte tüüpi vooluahela sümbolid, nagu on näidatud joonisel (noole suund on erinev).
Power MOSFET-id töötavad kahel peamisel viisil:
(1) Kui D-le ja S-le lisatakse positiivne pinge (äravoolu positiivne, allika negatiivne) ja UGS = 0, on PN-siire P-keha piirkonnas ja N-i äravoolupiirkonnas vastupidine eelpinge ja D vahel ei liigu voolu ja S. Kui G ja S vahele lisatakse positiivne pinge UGS, siis paisuvoolu ei voola, kuna pais on isoleeritud, kuid värava positiivne pinge lükkab augud all olevast P-piirkonnast eemale ja vähemuskandeelektronid tõmmata P-piirkonna pinnale Kui UGS on suurem kui teatud pinge UT, ületab elektronide kontsentratsioon värava all oleva P-piirkonna pinnal avade kontsentratsiooni, muutes P-tüüpi pooljuhi mustrivastase kihi N-tüüpi pooljuhiks. ; see mustrivastane kiht moodustab N-tüüpi kanali allika ja äravoolu vahele, nii et PN-siirde kaob, allikas ja äravool on juhtivad ning äravooluvool ID voolab läbi äravoolu. TÜ-d nimetatakse sisselülituspingeks või lävipingeks ja mida rohkem UGS ületab TÜ-d, seda juhtivam on juhtivusvõime ja seda suurem on ID. Mida suurem UGS ületab TÜ-d, seda tugevam on juhtivus, seda suurem on ID.
(2) Kui D, S pluss negatiivne pinge (allikas positiivne, äravoolu negatiivne), on PN-siire päripinge, mis on samaväärne sisemise pöörddioodiga (ei oma kiire reageerimise omadusi), stMOSFET ei oma tagurpidi blokeerimisvõimet, seda võib pidada pöördjuhtivuse komponentideks.
pooltMOSFET tööpõhimõte on näha, selle juhtivus ainult üks polaarsus kandjad kaasatud juhtiv, nii tuntud ka kui unipolaarne transistor.MOSFET drive põhineb sageli toiteallika IC ja MOSFET parameetrid valida sobiva vooluahela, MOSFET kasutatakse üldiselt ümberlülitamiseks toiteallika ajami ahel. MOSFET-i abil lülitustoiteallika projekteerimisel arvestab enamik inimesi MOSFET-i sisselülitamist, maksimaalset pinget ja maksimaalset voolu. Kuid inimesed arvestavad sageli ainult nende teguritega, et vooluahel saaks korralikult töötada, kuid see ei ole hea disainilahendus. Üksikasjalikuma disaini jaoks peaks MOSFET arvestama ka oma parameetriteabega. Kindla MOSFETi puhul mõjutab selle juhtimisahel, ajami väljundi tippvool jne MOSFETi lülitusjõudlust.
Postitusaeg: mai-17-2024
