1.Junction MOSFET pin identifitseerimine
väravMOSFET on transistori alus ning äravool ja allikas on kollektor ja emittervastav transistor. R × 1k käigu multimeeter koos kahe pliiatsiga, et mõõta kahe kontakti vahelist edasi- ja tagasitakistust. Kui kahe kontaktiga päritakistus = vastupidine takistus = KΩ, st kaks tihvti allika S ja äravoolu D jaoks, on ülejäänud viik värav G. Kui see on 4-kontaktilineristmik MOSFET, teine poolus on maandatud kilbi kasutamine.
2.Määrake värav
Multimeetri musta pliiatsiga MOSFET-i puudutamiseks juhuslik elektrood, punase pliiatsiga ülejäänud kahe elektroodi puudutamiseks. Kui mõlemad mõõdetud takistused on väikesed, mis näitab, et mõlemad on positiivsed, kuulub toru N-kanaliga MOSFET-i, sama musta pliiatsi kontakt on ka väravaks.
Tootmisprotsess on otsustanud, et MOSFET-i äravool ja allikas on sümmeetrilised ja neid saab omavahel vahetada ning see ei mõjuta vooluringi kasutamist, vooluahel on ka praegu normaalne, seega pole vaja minna liigsele eristamisele. Äravoolu ja allika vaheline takistus on umbes paar tuhat oomi. Seda meetodit ei saa kasutada MOSFETi isoleeritud värava tüübi määramiseks. Kuna selle MOSFET-i sisendi takistus on äärmiselt kõrge ning paisu ja allika vaheline polaarsete vaheline mahtuvus on väga väike, saab polaarsete seadmete peale moodustada väikese laengu mõõtmise. Ülikõrge pinge mahtuvuse tõttu on MOSFET-i väga lihtne kahjustada.
3. MOSFETide võimendusvõime hindamine
Kui multimeeter on seatud väärtusele R × 100, kasutage allika S ühendamiseks punast pliiatsit ja äravoolu D ühendamiseks musta pliiatsit, mis on nagu 1,5 V pinge lisamine MOSFETile. Sel ajal näitab nõel takistuse väärtust DS-pooluse vahel. Sel ajal sõrmega pigistada värav G, keha indutseeritud pinge sisendsignaalina väravasse. MOSFET-võimenduse rolli tõttu muutuvad ID ja UDS, mis tähendab, et DS-pooluse vaheline takistus on muutunud, võime täheldada, et nõelal on suur pöördeamplituud. Kui käsi pigistab väravat, on nõela kõikumine väga väike, see tähendab, et MOSFET-i võimendus on suhteliselt nõrk; kui nõel ei avalda vähimatki toimingut, mis näitab, et MOSFET on kahjustatud.
Postitusaeg: 18. juuli 2024
