I. MOSFETi määratlus
Pingega juhitavate kõrge vooluga seadmetena, MOSFETid neil on suur hulk rakendusi ahelates, eriti toitesüsteemides. MOSFET-korpuse dioode, mida tuntakse ka parasiitdioodidena, ei leidu integraallülituste litograafias, vaid neid leidub eraldi MOSFET-seadmetes, mis tagavad pöördkaitse ja voolu jätkumise, kui neid juhivad suured voolud ja induktiivkoormused.
Selle dioodi olemasolu tõttu ei saa MOSFET-seadet lihtsalt näha vooluringis lülitumas, nagu laadimisahelas, kus laadimine on lõppenud, toide eemaldatakse ja aku tagurdab väljapoole, mis on tavaliselt soovimatu tulemus.
Üldine lahendus on dioodi lisamine taha, et vältida vastupidist toiteallikat, kuid dioodi omadused määravad vajaduse päripinge languse järele 0,6 ~ 1 V, mis põhjustab tõsist soojuse teket suurte voolude juures, põhjustades samas raiskamist. energiat ja üldist energiatõhusust. Teine meetod on ühendada MOSFET, kasutades energiatõhususe saavutamiseks MOSFETi madalat sisselülitamist.
Tuleb märkida, et pärast juhtivust on MOSFET mittesuunaline, nii et pärast survejuhtivust on see samaväärne juhtmega, ainult takistuslik, pingelangus puudub, tavaliselt küllastunud sisselülitatud takistus mõne millioomi võrra.õigeaegsed millioomid, ja mittesuunaline, mis võimaldab alalis- ja vahelduvvoolu toidet läbida.
II. MOSFETide omadused
1, MOSFET on pingega juhitav seade, suurte voolude juhtimiseks pole tõukejõudu vaja;
2, kõrge sisendtakistus;
3, lai töösagedusvahemik, suur lülituskiirus, väike kadu
4, vahelduvvoolu mugav kõrge impedants, madal müratase.
5,Mitu paralleelset kasutamist, suurendage väljundvoolu
Teiseks MOSFETide kasutamine ettevaatusabinõude protsessis
1, MOSFETi ohutu kasutamise tagamiseks ei tohiks liini projekteerimisel ületada torujuhtme võimsuse hajumist, maksimaalset lekkeallika pinget, väravaallika pinget ja voolu ning muid parameetrite piirväärtusi.
2, kasutusel olevad erinevat tüüpi MOSFET-id, peavadrangelt sees olema vastavalt nõutavale ahelale juurdepääsule, et järgida MOSFET-i nihke polaarsust.
3. MOSFETi paigaldamisel pöörake tähelepanu paigaldusasendile, et vältida kütteelemendi lähedust. Liitmike vibratsiooni vältimiseks tuleb kest pingutada; tihvti juhtmete painutamine peaks olema suurem kui juure suurus 5 mm, et vältida tihvti paindumist ja lekkimist.
4, ülikõrge sisendtakistuse tõttu tuleb MOSFET-id transportimise ja ladustamise ajal kontaktist välja lühistada ja pakendada metallvarjestusega, et vältida värava välist indutseeritud potentsiaalset riket.
5. Ühendus-MOSFETide paisupinget ei saa ümber pöörata ja seda saab salvestada avatud vooluahela olekus, kuid isoleeritud paisuga MOSFET-ide sisendtakistus on väga kõrge, kui neid ei kasutata, mistõttu iga elektrood peab olema lühises. Isoleeritud väravaga MOSFETide jootmisel järgige allika-äravooluvärava järjekorda ja jootke väljalülitatud toite korral.
MOSFETide ohutu kasutamise tagamiseks peate täielikult mõistma MOSFETide omadusi ja ettevaatusabinõusid, mida protsessi kasutamisel tuleb võtta. Loodan, et ülaltoodud kokkuvõte aitab teid.
Postitusaeg: mai-15-2024
