MOSFET, tuntud kui metalloksiid-pooljuhtväljatransistor, on laialdaselt kasutatav elektrooniline seade, mis kuulub teatud tüüpi väljatransistori (FET) hulka.MOSFETkoosneb metallväravast, oksiidisolatsioonikihist (tavaliselt ränidioksiid SiO₂) ja pooljuhtkihist (tavaliselt räni Si). Tööpõhimõte on juhtida paisu pinget, et muuta pooljuhi pinnal või sees olevat elektrivälja, kontrollides nii allika ja äravoolu vahelist voolu.
MOSFETidvõib jagada kahte põhitüüpi: N-kanalMOSFETid(NMOS) ja P-kanaligaMOSFETid(PMOS). NMOS-is, kui paisupinge on allika suhtes positiivne, moodustuvad pooljuhi pinnale n-tüüpi juhtivad kanalid, mis võimaldavad elektronidel voolata allikast äravoolu. PMOS-is, kui paisupinge on allika suhtes negatiivne, moodustuvad pooljuhi pinnale p-tüüpi juhtivad kanalid, mis võimaldavad aukudel voolata allikast äravoolu.
MOSFETidneil on palju eeliseid, nagu kõrge sisendtakistus, madal müratase, madal energiatarve ja integreerimise lihtsus, mistõttu kasutatakse neid laialdaselt analoogskeemides, digitaalahelates, toitehalduses, jõuelektroonikas, sidesüsteemides ja muudes valdkondades. Integraallülitustes,MOSFETidon põhiüksused, mis moodustavad CMOS-i (Complementary Metal Oxide Semiconductor) loogikaahelad. CMOS-ahelad ühendavad NMOS-i ja PMOS-i eelised ning neid iseloomustab madal energiatarve, suur kiirus ja kõrge integreeritus.
LisaksMOSFETidvõib liigitada võimendustüüpi ja ammendumise tüüpi vastavalt sellele, kas nende juhtivad kanalid on eelnevalt moodustatud. TäiendustüüpMOSFETkui paisupinge on null, kui kanal ei ole juhtiv, tuleb juhtiva kanali moodustamiseks rakendada teatud paisupinget; samas ammendumise tüüpMOSFETkui paisupinge on null, kui kanal on juba juhtiv, kasutatakse paisu pinget kanali juhtivuse juhtimiseks.
KokkuvõttesMOSFETon metalloksiidpooljuhtstruktuuril põhinev väljatransistor, mis reguleerib allika ja äravoolu vahelist voolu väravpinget reguleerides ning millel on lai kasutusala ja oluline tehniline väärtus.
Postitusaeg: 12. september 2024
