Kuidas MOSFET-id töötavad?

1, MOSFETsissejuhatus

FieldFfect Transistori lühend (FET)) pealkiri MOSFET. väikese arvu kandjate poolt soojusjuhtivuses osalemiseks, mida tuntakse ka kui mitmepooluselist transistori. See kuulub pinge valdamise tüüpi poolülijuhtmehhanismi. Väljundtakistus on suur (10^8 ~ 10^9Ω), madal müratase, madal energiatarve, staatiline ulatus, lihtne integreerida, teistkordset rikkenähtust pole, mere kindlustusülesanne ja muud eelised on nüüdseks muutunud. tugevate koostööpartnerite bipolaarne transistor ja võimsustransistor.

 

2, MOSFETi omadused

1, MOSFET on pinge juhtimisseade, mis läbib VGS-i (värava allika pinge) juhtimis-ID (alalisvoolu äravoolu);

2, MOSFET-idväljundi alalisvoolu poolus on väike, seega on väljundtakistus suur.

3, see on väikese arvu kandjate kasutamine soojuse juhtimiseks, nii et tal on parem stabiilsuse mõõt;

4, see koosneb elektrilise reduktsioonikoefitsiendi reduktsiooniteekonnast, mis on väiksem kui triood, mis koosneb redutseerimiskoefitsiendi redutseerimise teest;

5, MOSFET kiiritusevastane võime;

6, kuna hajutatud müraosakeste põhjustatud oligoonide dispersiooni vigane aktiivsus puudub, mistõttu on müra madal.

 

3, MOSFET-i ülesande põhimõte

MOSFET-idtööpõhimõte ühes lauses on "äravool - allikas paisu kanali kaudu voolava ID ja paisu pinge master ID pöördpingest moodustatud pn-siirde vahelise kanali vahel", täpsemalt, ID voolab läbi laiuse teekonnast, st kanali ristlõike pindalast, on pn-siirde pöördnihke muutus, mis tekitab ammendumise kihi Laiendatud variatsioonikontrolli põhjus. Küllastumata meres VGS=0, kuna üleminekukihi paisumine ei ole väga suur, siis vastavalt VDS-i magnetvälja lisandumisele äravooluallika vahel tõmbab osa lähtemeres olevaid elektrone eemale äravoolu, st toimub DC ID tegevus äravoolust allikani. Väravast äravooluni suurendatud mõõdukas kiht muudab kogu kanali korpuse blokeerivaks tüübiks, ID täis. Nimetage seda vormi näputäis. Sümboliseerib üleminekukihti terve takistuse kanalile, mitte alalisvoolutoidet katkestatakse.

 

Kuna üleminekukihis ei toimu elektronide ja aukude vaba liikumist, on sellel ideaalsel kujul peaaegu isoleerivad omadused ning üldvoolul on raske voolata. Aga siis äravoolu vaheline elektriväli - allikas, tegelikult kahe üleminekukihi kontakt äravoolu ja värava pooluse alumise osa lähedal, sest triivi elektriväli tõmbab kiired elektronid läbi üleminekukihi. Triivivälja intensiivsus on peaaegu konstantne, tekitades ID-stseeni täiuse.

 

Ahel kasutab täiustatud P-kanaliga MOSFET-i ja täiustatud N-kanaliga MOSFET-i kombinatsiooni. Kui sisend on madal, juhib P-kanaliga MOSFET ja väljund on ühendatud toiteallika positiivse klemmiga. Kui sisend on kõrge, juhib N-kanaliga MOSFET ja väljund on ühendatud toiteallika maandusega. Selles vooluringis töötavad P-kanaliga MOSFET ja N-kanaliga MOSFET alati vastupidises olekus, kusjuures nende faasisisendid ja väljundid on vastupidised.