Tänapäeval, teaduse ja tehnoloogia kiire arenguga, kasutatakse pooljuhte üha enamates tööstusharudes, kusMOSFET peetakse ka väga levinud pooljuhtseadmeks, järgmise sammuna tuleb mõista, mis vahe on bipolaarse võimsuskristalltransistori omadustel ja väljundvõimsusel MOSFET.
1, tööviis
MOSFET on tööpinge edendamiseks vajalik töö, lülitusskeemid selgitavad suhteliselt lihtsat, edendavad väikese võimsust; võimsuse kristalltransistor on võimsuse voolu edendamiseks programmi ülesehitus on keerulisem, et edendada spetsifikatsiooni valiku raske edendada spetsifikatsioon ohustab toiteallika kogu lülituskiirust.
2, toiteallika kogu lülituskiirus
MOSFET, mida mõjutab temperatuur, on väike, toiteallika lülitusväljundvõimsus võib tagada, et üle 150 kHz; võimsuskristalltransistoril on väga vähe vaba laadimisaega, mis piirab toiteallika lülituskiirust, kuid selle väljundvõimsus ei ületa üldjuhul 50 kHz.
3, Ohutu tööpiirkond
Võimsus MOSFET sellel puudub teisene alus ja ohutu tööala on lai; võimsuskristalltransistoril on sekundaarne alusolukord, mis piirab ohutut tööpiirkonda.
4 、 Elektrijuhi töönõude tööpinge
VõimsusMOSFET kuulub kõrgepinge tüüpi, juhtivuse töönõude tööpinge on kõrgem, on positiivne temperatuuritegur; võimsuskristalltransistor olenemata sellest, kui palju raha on tööpinge suhtes vastupidav, on elektrijuhi töövajaduse tööpinge madalam ja sellel on negatiivne temperatuuritegur.
5, maksimaalne võimsusvoog
Power MOSFET lülitustoiteahelas toiteahela toiteahela toiteahela toiteallika lülitina, töös ja stabiilse töö keskel, maksimaalne vooluhulk on madalam; ja võimsuskristalltransistor töötab ja stabiilne töö keskel, maksimaalne võimsusvoog on suurem.
6 、Toote maksumus
MOSFET-i võimsuse maksumus on veidi kõrgem; võimsusega kristalltrioodi maksumus on veidi madalam.
7, läbitungimisefekt
Power MOSFETil puudub läbitungimisefekt; võimsuskristalltransistoril on läbitungimisefekt.
8, lülituskadu
MOSFET-i lülituskadu ei ole suur; võimsuskristalltransistori lülituskadu on suhteliselt suur.
Lisaks on valdav enamus võimsusest MOSFET integreeritud lööki neelav diood, samas kui bipolaarne võimsus kristalltransistor peaaegu puudub integreeritud lööki neelav diood. MOSFET lööki neelav diood võib olla ka universaalne magnet toiteahelate magnetpoolide vahetamiseks, et anda võimsusteguri nurk elektrivoolu ohutuskanalist. Väljaefektiga toru lööki summutavas dioodis kogu väljalülitamise protsessis ülddioodiga kui tagurpidi taastumisvoolu olemasolu, sel ajal diood ühelt poolt võtma ära äravoolu - allika poolus positiivne keskel oluline tööpinge töövajaduse tõus ja vastupidine taastumisvool.
Postitusaeg: 23. mai-2024
