Transistoride ja MOSFET-ide paralleelstamise põhiteooria kohta: Esiteks on transistoridel negatiivne eksponentsiaalne temperatuuriväärtus, st kui transistori enda temperatuur tõuseb, muutub sisselülitustakistus väiksemaks. Teiseks, MOSFET-idel on vastupidiselt transistoridele positiivne eksponentsiaalne temperatuuri väärtus, mis tähendab, et temperatuuri tõustes suureneb sisselülitamise takistus aeglaselt.
Võrreldes transistoridega on MOSFET-id tegelikult sobivamad paralleelsetes toiteahelates voolu ühtlustamiseks. Seega, kui toiteahela vool on suhteliselt suur, soovitame üldiselt kasutada šundi jaoks paralleelseid MOSFET-e. Kui valime voolu võrdsustamiseks MOSFET-id ja ühel viisil ületab vool MOSFET-i voolu, suureneb MOSFET-i vool, mis on põhjustatud suurte MOSFET-ide soojusest, mis põhjustab sisse-välja takistuse. , vähendades voolu alandamist; MOSFETid põhinevad voolu erinevusel pidevalt kohandada ja lõpuks realiseerida praegune tasakaal nende kahe vahelMOSFETid.
Üks asi, mida peame tähele panema: transistore saab ühendada ka paralleelselt, et lõpetada kõrge vooluga kaupade voog, kuid siis peate põhinema ka jadaajami takisti baasil, et käsitleda iga transistore voolu tasakaalu. paralleeltransistor probleemi keskel.
Transistori paralleelühenduse tavalised probleemid:
(1) ei saa iga transistori väravat võnkumise vältimiseks iga ajamitakistiga jadamisi ühendada.
(2), et manipuleerida iga transistoriga(MOSFET)avatud aeg ja sulgemisaeg järjepidevuse säilitamiseks, sest kui see ei ole järjepidev, hävib torujuhtme esmakordne avamine või torujuhtme sulgemine liigse voolu läbitungimise tõttu.
(3) ja lõpuks tahaksime, et iga transistori allikas saaks järjestikku ekvalaisertakistiga, seda pole muidugi vaja teha, igaks juhuks.
Oluekyst on saanud üks parimaid ja kiiremini kasvavaid agente Aasias tänu agressiivsele turuarendusele ja tõhusale ressursside integreerimisele. Maailma kõige väärtuslikumaks agendiks saamine onolukey'seesmärk.
Postitusaeg: juuli-05-2024
