MOSFETidrolli mängidalülitusahelateson vooluahela sisse- ja väljalülitamine ning signaali muundamine.MOSFETid võib laias laastus jagada kahte kategooriasse: N-kanal ja P-kanal.
N-kanalisMOSFETvooluring, on BEEP-tihvt kõrge, et võimaldada sumisti reageerimist, ja madal, et sumisti välja lülitada.P-kanalMOSFETGPS-mooduli toiteallika sisse- ja väljalülitamiseks on GPS_PWR tihvt madal, kui see on sisse lülitatud, GPS-moodul on tavaline toiteallikas, ja kõrge, et GPS-moodul välja lülitada.
P-kanalMOSFETN-tüüpi ränisubstraadil P + piirkonnas on kaks: äravool ja allikas. Need kaks poolust ei ole üksteist juhtivad, kui maandusel on allikale lisatud piisavalt positiivset pinget, tekib N-tüüpi räni pind värava all P-tüüpi pöördkihina, äravoolu ja allikat ühendavasse kanalisse. . Pinge muutmine väravas muudab kanali aukude tihedust, muutes seeläbi kanali takistust. Seda nimetatakse P-kanali täiustamise väljatransistoriks.
NMOS-karakteristikud, Vgs seni, kuni on teatud väärtusest suurem, kehtivad allika maandatud madala otsa draivi puhul, eeldusel, et liini paisupinge on 4 V või 10 V.
PMOS-i omadused, vastupidiselt NMOS-ile, lülituvad sisse seni, kuni Vgs on teatud väärtusest väiksem, ja see sobib kasutamiseks kõrgekvaliteedilise draivi korral, kui allikas on ühendatud VCC-ga. Asendustüüpide väikese arvu, suure sisselülitavuse ja kõrge hinna tõttu saab PMOS-i siiski väga mugavalt kasutada tipptasemel draivi puhul, nii et tipptasemel draivi puhul kasutage üldiselt ikkagi NMOS-i.
ÜldiseltMOSFETidneil on kõrge sisendtakistus, need hõlbustavad ahelate otseühendust ja neid on suhteliselt lihtne valmistada suuremahulisteks integraallülitusteks.
Postitusaeg: 20. juuli 2024
