Inverteri omaMOSFETidtöötavad lülitusolekus ja torusid läbiv vool on väga suur. Kui toru pole õigesti valitud, juhtimispinge amplituud ei ole piisavalt suur või vooluahela soojuse hajumine ei ole hea, võib see põhjustada MOSFET-i kuumenemist.
1, inverteri MOSFET-küte on tõsine, peaks pöörama tähelepanu MOSFET-i valikule
Lülitusolekus oleva inverteri MOSFET nõuab üldiselt võimalikult suurt äravooluvoolu, võimalikult väikest sisselülitamist, mis võib vähendada toru küllastuspinge langust, vähendades seeläbi toru tarbimist, vähendades kuumust.
Kontrollige MOSFET-i juhendit, leiame, et mida kõrgem on MOSFET-i vastupidavuspinge väärtus, seda suurem on selle sisselülitamistakistus ning torude suure äravooluvoolu ja madala vastupidavuspingega torude sisselülitamistakistus on üldiselt alla kümnete millioomi.
Eeldades, et koormusvool on 5A, valime tavaliselt kasutatavaks inverteriks MOSFET RU75N08R ja pingetaluvus võib olla 500V 840, nende äravooluvool on 5A või rohkem, kuid kahe toru sisselülitustakistus on erinev, juhime sama voolu , nende soojusvahe on väga suur. 75N08R sisselülitamistakistus on ainult 0,008 Ω, samas kui 840 sisselülitamistakistus on 0,85 Ω, kui toru läbiv koormusvool on 5 A, 75N08R toru pingelangus on ainult 0,04 V, hetkel on MOSFET-toru tarbimine ainult 0,2 W, samas kui 840 toru pingelang võib olla kuni 4,25 W, on toru tarbimine koguni 21,25 W. Siit on näha, et mida väiksem on inverteri MOSFETi sisselülitamistakistus, seda parem, toru sisselülitamistakistus on suur, toru tarbimine suure voolu all Inverteri MOSFETi sisselülitustakistus on sama väike kui võimalik.
2, juhtimispinge amplituudi juhtimisahel ei ole piisavalt suur
MOSFET on pinge juhtimisseade, kui soovite vähendada toru tarbimist, vähendada soojust,MOSFETvärava ajami pinge amplituud peaks olema piisavalt suur, et impulsi serv oleks järsk ja sirge, saate vähendada toru pingelangust, vähendada toru tarbimist.
3, MOSFET-i soojuse hajumine ei ole hea põhjus
InverterMOSFETküte on tõsine. Kuna inverteri MOSFET-i energiatarve on suur, nõuab töö üldiselt piisavalt suurt jahutusradiaatori välispinda ning väline jahutusradiaator ja jahutusradiaatori vahel asuv MOSFET ise peaksid olema tihedas kontaktis (tavaliselt peavad need olema kaetud soojust juhtiva silikoonmäärdega ), kui väline jahutusradiaator on väiksem või kontakt MOSFETi enda jahutusradiaatoriga ei ole piisavalt tihe, võib see põhjustada toru kuumenemist.
Inverter MOSFET soojendus tõsine on kokkuvõtteks neli põhjust.
MOSFETi kerge kuumenemine on normaalne nähtus, kuid tõsine kuumenemine, mis viib isegi toru põlemiseni, on järgmised neli põhjust:
1, vooluringi projekteerimise probleem
Laske MOSFETil töötada lineaarses tööolekus, mitte lülitusahela olekus. See on ka üks MOSFET-i kuumutamise põhjusi. Kui N-MOS teeb lülitusi, peab G-taseme pinge olema mõne V võrra kõrgem kui toiteallikas, et see oleks täielikult sisse lülitatud, samas kui P-MOS on vastupidine. Ei ole täielikult avatud ja pingelang on liiga suur, mille tulemuseks on energiatarve, samaväärne alalisvoolutakistus on suurem, pingelangus suureneb, seega suureneb ka U * I, kadu tähendab soojust. See on vooluringi projekteerimisel kõige välditavam viga.
2, liiga kõrge sagedus
Peamine põhjus on see, et mõnikord liigne püüdlus maht, mille tulemuseks on suurenenud sagedus, MOSFET kaod suurtes, nii et soojus on ka suurenenud.
3, pole piisavalt soojust
Kui vool on liiga kõrge, vajab MOSFET-i nimivoolu väärtus tavaliselt hea soojuse hajumist. Nii et ID on maksimaalsest voolust väiksem, võib ka halvasti kuumeneda, vaja on piisavalt lisajahutusradiaatorit.
4, MOSFETi valik on vale
Vale võimsuse hinnang, MOSFET-i sisetakistust ei võeta täielikult arvesse, mille tulemuseks on suurenenud lülitustakistus.
Postitusaeg: 22. aprill 2024
