Lülitustoiteallika või mootori ajami ahela projekteerimisel kasutadesMOSFETid, võetakse üldiselt arvesse selliseid tegureid nagu MOS-i sisselülitustakistus, maksimaalne pinge ja maksimaalne vool.
MOSFET-torud on FET-i tüüp, mida saab valmistada kas suurendamis- või tühjendustüübina, P-kanalina või N-kanalina kokku 4 tüüpi. Tavaliselt kasutatakse täiustus-NMOSFET-e ja täiustus-PMOSFET-e ning tavaliselt mainitakse neid kahte.
Neid kahte kasutatakse sagedamini NMOS-i. Põhjus on selles, et juhtivustakistus on väike ja seda on lihtne valmistada. Seetõttu kasutatakse NMOS-i tavaliselt lülitustoiteallika ja mootoriajami rakendustes.
MOSFET-i sees on äravoolu ja allika vahele asetatud türistor, mis on väga oluline induktiivkoormuste, näiteks mootorite, juhtimisel ja esineb ainult ühes MOSFETis, mitte tavaliselt integraallülituse kiibis.
MOSFET-i kolme kontakti vahel on parasiitmahtuvus, mitte sellepärast, et me seda vajame, vaid tootmisprotsessi piirangute tõttu. Parasiitmahtuvuse olemasolu muudab draiveriahela projekteerimise või valimise keerulisemaks, kuid seda ei saa vältida.
Peamised parameetridMOSFET
1, avatud pinge VT
Avapinge (tuntud ka kui lävipinge): nii et paisupinge, mis on vajalik juhtiva kanali moodustamiseks allika S ja äravoolu D vahel; standardne N-kanaliga MOSFET, VT on umbes 3 ~ 6 V; protsessi täiustamise abil saab MOSFET VT väärtust vähendada 2 ~ 3 V-ni.
2, alalisvoolu sisendtakistus RGS
Paisu allika pooluse ja paisuvoolu vahel lisatava pinge suhe Seda omadust väljendab mõnikord paisu läbiv paisuvool, MOSFETi RGS võib kergesti ületada 1010Ω.
3. Äravooluallika rike BVDS pinge.
Tingimusel VGS = 0 (täiustatud) suureneb äravooluallika pinge suurendamise protsessis ID järsult, kui VDS-i nimetatakse äravooluallika läbilöögipingeks BVDS, suureneb ID järsult kahel põhjusel: (1) laviin. tühjenduskihi purunemine äravoolu lähedal, (2) läbitungimise katkemine äravoolu ja lähtepostide vahel, mõned MOSFET-id, millel on lühem kaeviku pikkus, suurendavad VDS-i nii, et äravoolupiirkonna äravoolukiht laieneb lähtepiirkonda, muutes kanali pikkuseks nulliks, st äravooluallika läbitungimise tekitamiseks tõmbab enamiku allikapiirkonna kandjaid tühjenduskihi elektriväli otse äravoolupiirkonda, mille tulemuseks on suur ID .
4, värava allika jaotuspinge BVGS
Kui paisu pinget suurendatakse, nimetatakse VGS-i, kui IG-d suurendatakse nullist, paisuallika läbilöögipingeks BVGS.
5、Madalsageduslik ülejuhtivus
Kui VDS on fikseeritud väärtus, nimetatakse äravooluvoolu mikrovariatsiooni ja muutust põhjustava paisuallika pinge mikrovariatsiooni suhet transkonduktiivsuseks, mis peegeldab paisu allika pinge võimet juhtida äravooluvoolu ja on oluline parameeter, mis iseloomustab võimendusvõimetMOSFET.
6, sisselülitatud takistus RON
Sisselülitatud takistus RON näitab VDS-i mõju ID-le, on äravoolu karakteristikute puutuja kalde pöördväärtus teatud punktis, küllastuspiirkonnas ID peaaegu ei muutu VDS-iga, RON on väga suur. väärtus, tavaliselt kümnetes kilooomides kuni sadade kilooomideni, kuna digitaalahelates töötavad MOSFET-id sageli juhtiva VDS-i olekus = 0, nii et praegusel hetkel saab sisselülitatud takistuse RON-i ligikaudselt hinnata RON-i päritolu ligikaudseks, üldise MOSFET-i puhul RON-i väärtuseks mõnesaja oomi piires.
7, interpolaarne mahtuvus
Interpolaarne mahtuvus eksisteerib kolme elektroodi vahel: paisu allika mahtuvus CGS, paisu äravoolu mahtuvus CGD ja äravooluallika mahtuvus CDS-CGS ja CGD on umbes 1 ~ 3 pF, CDS on umbes 0,1 ~ 1 pF.
8、Madala sagedusega mürategur
Müra on põhjustatud torujuhtme kandurite liikumise ebakorrapärasusest. Selle olemasolu tõttu esinevad väljundis ebaregulaarsed pinge või voolu kõikumised isegi siis, kui võimendi signaali ei edasta. Müra jõudlust väljendatakse tavaliselt mürategurina NF. Ühik on detsibell (dB). Mida väiksem väärtus, seda vähem müra toru tekitab. Madalsageduslik müratase on madala sagedusega vahemikus mõõdetav müratase. Väljaefektitoru mürategur on umbes paar dB, väiksem kui bipolaarsel trioodil.
Postitusaeg: 24. aprill 2024
