Elektroonikakomponentidel on elektrilised parameetrid ning tüübi valikul on oluline jätta elektroonikakomponentidele piisavalt varu, et tagada elektroonikakomponentide stabiilsus ja pikaajaline töö. Järgmisena tutvustage lühidalt valikumeetodit Triode ja MOSFET.
Triode on vooluga juhitav seade, MOSFET on pingega juhitav seade, nende kahe vahel on sarnasusi, valikul on vaja arvestada vastupidavuse pinge, voolu ja muude parameetritega.
1, vastavalt maksimaalsele vastupidavuspingele
Trioodkollektor C ja emitter E taluvad maksimaalset pinget parameetri V (BR) CEO vahel, CE vaheline pinge töötamise ajal ei tohi ületada määratud väärtust, vastasel juhul kahjustatakse Triode jäädavalt.
Maksimaalne pinge eksisteerib ka MOSFET-i äravoolu D ja allika S vahel kasutamise ajal ning DS-i pinge töötamise ajal ei tohi ületada määratud väärtust. Üldiselt on pingetaluvusväärtusMOSFETon palju kõrgem kui Triode.
2, maksimaalne ülevooluvõime
Trioodil on ICM parameeter, st kollektori liigvoolu võime ja MOSFETi liigvooluvõimet väljendatakse ID-ga. Praeguse töö ajal ei tohi trioodi/MOSFET-i läbiv vool ületada määratud väärtust, vastasel juhul põleb seade.
Arvestades tööstabiilsust, on üldjuhul lubatud marginaal 30%-50% või isegi rohkem.
3、Töötemperatuur
Kaubandusliku kvaliteediga kiibid: üldine vahemik 0 kuni +70 ℃;
Tööstusliku kvaliteediga kiibid: üldine vahemik -40 kuni +85 ℃;
Sõjalise kvaliteediga kiibid: üldine vahemik -55 ℃ kuni +150 ℃;
MOSFETi valiku tegemisel vali sobiv kiip vastavalt toote kasutusjuhtumile.
4, vastavalt lülitussageduse valikule
Nii Triode kuiMOSFETneil on lülitussageduse/reageerimisaja parameetrid. Kui seda kasutatakse kõrgsageduslikes ahelates, tuleb lülitustoru reaktsiooniaeg arvestada kasutustingimustega.
5、Muud valikutingimused
Näiteks MOSFETi sisselülitatud takistuse Ron parameeter, seadme VTH sisselülituspinge.MOSFETja nii edasi.
Kõik, kes on MOSFET-i valikus, saate valida ülaltoodud punktid.
Postitusaeg: 27. aprill 2024
