MOSFETide parameetrite analüüs ja mõõtmine

MOSFETide parameetrite analüüs ja mõõtmine

Postitusaeg: juuli-07-2024

Peamisi parameetreid on mitut tüüpiMOSFET, mis sisaldavad alalisvoolu, vahelduvvoolu parameetreid ja piirparameetreid, kuid üldrakendusel tuleb arvestada vaid järgmiste põhiparameetritega: lekkeallika voolu küllastusseisund IDSS pigistuspinge Up, transconductance gm, lekkeallika läbilöögipinge BUDS, suurem kadu väljundvõimsus PDSM ja suurem lekkeallika vool IDSM.

1 (1)

1. Küllastunud lekkeallika vool

Küllastunud äravooluallika vool IDSS tähendab äravooluallika voolu paisupingel UGS = 0 ristmiku- või ammendumistüüpi isoleeritud kihiga paisu MOSFET-ides.

2. Lõikepinge

Pinge UP tähendab paisupinge tööpinget ühendus- või tühjenemistüüpi isoleeritud kihi paisusMOSFETmis muudab äravooluallika lihtsalt ära. Mõelge välja, mida IDSS ja UP tegelikult tähendavad.

3. Lülitage pinge sisse

Sisselülituspinge UT tähendab paisupinge tööpinget tugevdatud isoleeritud paisuga MOSFET-is, nii et äravooluallika ühendus on just sisse lülitatud. Saage aru, mida UT tegelikult tähendab.

1 (2)

4.Ristsuunamine

Transguide gm kasutatakse selleks, et näidata paisu allika pinge võimet juhtida äravoolu voolu, st äravoolu voolu muutuse ja paisu allika pinge muutumise suhet.

5 、 Maksimaalne väljundvõimsuse kaotusr

Maksimaalse kadu väljundvõimsus kuulub ka piirparameetri alla, mis tähendab maksimaalset äravooluallika kaduvõimsust, mida saab lubada, kuiMOSFETon normaalne ja ei mõjuta. Kui kasutame MOSFET-i, peaks selle funktsionaalne kadu olema väiksem kui PDSM ja teatud väärtus.

6 、Maksimaalne lekkeallika vool

Maksimaalne äravooluallika vool, IDSM, on samuti piirav parameeter, mis tähendab maksimaalset voolu, mis on lubatud MOSFETi äravoolu ja allika vahel normaalse töö ajal ning seda ei tohi ületada MOSFETi töötamise ajal.

olukeyst on saanud üks parimaid ja kiiremini kasvavaid agente Aasias aktiivse turuarenduse ja tõhusa ressursside integreerimise kaudu ning saada maailma kõige väärtuslikumaks agendiks on olukey ühine eesmärk.

1 (3)