Erinevus N-kanaliga MOSFET-i ja P-kanaliga MOSFET-i vahel! Aidake teil MOSFETi tootjaid paremini valida!

Skeemikujundajad peavad MOSFETide valimisel kaaluma järgmist küsimust: kas nad peaksid valima P-kanaliga MOSFETi või N-kanaliga MOSFETi? Tootjana peate soovima, et teie tooted konkureeriksid teiste kaupmeestega madalamate hindadega, samuti peate tegema korduvaid võrdlusi. Kuidas siis valida? 20-aastase kogemusega MOSFETi tootja OLUKEY soovib teiega jagada.

Erinevus 1: juhtivusomadused

N-kanaliga MOS-i omadused on sellised, et see lülitub sisse, kui Vgs on teatud väärtusest suurem. See sobib kasutamiseks siis, kui allikas on maandatud (madala otsa ajam), kui paisu pinge ulatub 4V või 10V-ni. Mis puutub P-kanali MOS-i omadustesse, siis see lülitub sisse, kui Vgs on teatud väärtusest väiksem, mis sobib olukordades, kui allikas on ühendatud VCC-ga (high-end drive).

Erinevus 2:MOSFETlülituskaotus

Olenemata sellest, kas see on N-kanaliga MOS või P-kanaliga MOS, tekib pärast sisselülitamist sisselülitamistakistus, nii et vool kulutab sellel takistusel energiat. Seda osa tarbitud energiast nimetatakse juhtivuskadudeks. Väikese sisselülitustakistusega MOSFET-i valimine vähendab juhtivuse kadu ja praeguste väikese võimsusega MOSFET-ide sisselülitustakistus on üldiselt kümnete millioomide ringis, samuti on mitu millioomi. Lisaks ei tohi MOS-i sisse- ja väljalülitamisel see kohe lõpule viia. Toimub vähenev protsess ja ka voolaval voolul on protsess suurenev.

Selle perioodi jooksul on MOSFET-i kadu pinge ja voolu korrutis, mida nimetatakse lülituskadudeks. Tavaliselt on lülituskaod palju suuremad kui juhtivuskaod ja mida suurem on lülitussagedus, seda suuremad on kaod. Pinge ja voolu korrutis juhtivuse hetkel on väga suur ning tekitatud kadu on samuti väga suur, seega lülitusaja lühendamine vähendab kadu iga juhtivuse ajal; lülitussageduse vähendamine võib vähendada lülitite arvu ajaühikus.

Kolmas erinevus: MOSFET-i kasutamine

P-kanaliga MOSFET-i aukude liikuvus on väike, nii et kui MOSFET-i geomeetriline suurus ja tööpinge absoluutväärtus on võrdsed, on P-kanaliga MOSFET-i transjuhtivus väiksem kui N-kanali MOSFET-il. Lisaks on P-kanali MOSFETi lävipinge absoluutväärtus suhteliselt kõrge, mis nõuab kõrgemat tööpinget. P-kanaliga MOS-il on suur loogikakiik, pikk laadimis- ja tühjendusprotsess ning väike seadme transjuhtivus, seega on selle töökiirus väiksem. Pärast N-kanaliga MOSFETi tekkimist on enamik neist asendunud N-kanaliga MOSFETiga. Kuna P-kanaliga MOSFET-i protsess on lihtne ja odav, kasutavad mõned keskmise ja väikesemahulised digitaalsed juhtimisahelad siiski PMOS-i vooluahela tehnoloogiat.

Olgu, see on kõik tänaseks jagamiseks MOSFETi pakenditootja OLUKEY poolt. Lisateabe saamiseks leiate meid aadressiltOLUKEYametlik veebisait. OLUKEY on MOSFETile keskendunud 20 aastat ja selle peakontor asub Hiinas Guangdongi provintsis Shenzhenis. Peamiselt tegeleb suure vooluga väljatransistoride, suure võimsusega MOSFET-idega, suurte pakett-MOSFET-idega, väikese pingega MOSFET-idega, väikepakett-MOSFET-idega, väikese vooluga MOSFET-idega, MOS-väljaefektiga torudega, pakendatud MOSFET-idega, toite-MOS-i, MOSFET-pakettidega, originaal-MOSFET-idega, pakendatud MOSFET-idega jne Peamine agent toode on WINSOK.