Millised on MOSFETide ja trioodide erinevused, kui neid kasutatakse lülititena?

MOSFET ja Triode on väga levinud elektroonilised komponendid, mõlemat saab kasutada elektrooniliste lülititena, aga ka mitmel korral lülitite kasutamise vahetamiseks, kasutamiseks lülititena,MOSFETja Triode on palju sarnasusi, on ka erinevaid kohti, nii et need kaks peaksid olema, kuidas valida?

Trioodil on NPN-tüüpi ja PNP-tüüpi. MOSFET-il on ka N-kanal ja P-kanal. MOSFET-i kolm viiku on värav G, äravool D ja allikas S ning Trioodi kolm viiku on alus B, kollektor C ja emitter E. Mis vahe on MOSFETil ja trioodil?

Lülituspõhimõttena kasutatakse N-MOSFET ja NPN Triode

(1) Erinevad juhtimisrežiimid

Triood on voolutüüpi juhtkomponendid ja MOSFET on pinge juhtimiskomponendid, juhtpaneeli sisendpinge nõuded on suhteliselt madalad, tavaliselt 0,4 V kuni 0,6 V või rohkem saab trioodi sisse lülitada, muutes baaspiiri voolutakisti võib muuta baasvoolu. MOSFET on pingega juhitav, juhtimiseks vajalik pinge on tavaliselt ca 4V kuni 10V ja küllastuse saavutamisel on vajalik pinge ca 6V kuni 10V. Madalama pinge juhtimisel on Trioodi üldine kasutamine lülitina või Triode puhvri juhtimiseks MOSFET, näiteks mikrokontrollerite, DSP, PowerPC ja teiste protsessorite I / O pordi pinge suhteliselt madal, ainult 3,3 V või 2,5 V. , üldiselt ei kontrolli otseseltMOSFET, madalam pinge, MOSFET ei saa olla juhtivus või sisetakistus suur sisetarbimine Sel juhul kasutatakse tavaliselt trioodjuhtimist.

(2) Erinev sisendtakistus

Trioodi sisendtakistus on väike, MOSFET-i sisendtakistus on suur, ristmiku mahtuvus on erinev, trioodi ristmiku mahtuvus on suurem kui MOSFET, vastavalt MOSFET-i tegevus on kiirem kui trioodil;MOSFETstabiilsuse osas on parem, on mitme juhiga, väike müra, termiline stabiilsus on parem.

MOSFETi sisetakistus on väga väike ja Triode sisselülitatud pingelang on peaaegu konstantne, väikeste voolude korral kasutage tavaliselt trioodi ja MOSFET-i isegi siis, kui sisemine takistus on väga väike, kuid vool on suur, pingelangus on samuti väga suur.